-
Koszyk jest pusty
-
x
Do bezpłatnej dostawy brakuje
-,--
Darmowa dostawa!
Suma
0,00 zł
Cena uwzględnia rabaty
0,00 zł
0
-
Koszyk jest pusty
-
x
Do bezpłatnej dostawy brakuje
-,--
Darmowa dostawa!
Suma
0,00 zł
Cena uwzględnia rabaty
-
-
-
Koszyk jest pusty
-
x
Do bezpłatnej dostawy brakuje -,--Darmowa dostawa!Suma 0,00 złCena uwzględnia rabaty -
-
Dysk SSD Samsung 990 PRO Heatsink 4TB M.2 2280 PCIe 4.0 x4 NVMe (7450/6900 MB/s)
Symbol:
MZ-V9P4T0CW
| Wpisz swój e-mail |
| Opinie | |
| Wysyłka w ciągu | 24 godziny |
| Cena przesyłki | 0 |
| Dostępność |
Brak towaru
|
| Waga | 0.15 kg |
| Kod kreskowy | |
| EAN | 8806094946857 |
| Zostaw telefon |
Rodzina dysków: 990 PRO
Pojemność dysku: 4 TB
Format dysku: M.2 2280
Typ dysku: SSD
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: Tak
Wsparcie dla technologii TRIM: Tak
Interfejs: M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe
Typ złącza: M.2 (NGFF)
Prędkość odczytu (max): 7450 MB/s
Prędkość zapisu (max): 6900 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Written): 2400.0
Odczyt losowy: 1600000 IOPS
Zapis losowy: 1550000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 1500000 h
Informacje dodatkowe: PCIe Gen 4.0 x 4, NVMe, Samsung V-NAND TLC, Wymiary 80,15 x 25 x 8,88 mm (z radiatorem), Waga: Maks. 28,0 g, Pamieć podręczna: Samsung 4GB Low Power DDR4 SDRAM, Szyfrowanie AES 256-bit (Klasa 0) TCG/Opal IEEE1667 (Dysk szyfrowany), Dopuszczalne napięcie: 3,3 V ± 5 %, Odporność na wstrząsy: 1,500 G oraz 0,5 ms (półokres sinusoidy)
Gwarancja producenta [mies.]: 60
Pojemność dysku: 4 TB
Format dysku: M.2 2280
Typ dysku: SSD
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: Tak
Wsparcie dla technologii TRIM: Tak
Interfejs: M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe
Typ złącza: M.2 (NGFF)
Prędkość odczytu (max): 7450 MB/s
Prędkość zapisu (max): 6900 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Written): 2400.0
Odczyt losowy: 1600000 IOPS
Zapis losowy: 1550000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 1500000 h
Informacje dodatkowe: PCIe Gen 4.0 x 4, NVMe, Samsung V-NAND TLC, Wymiary 80,15 x 25 x 8,88 mm (z radiatorem), Waga: Maks. 28,0 g, Pamieć podręczna: Samsung 4GB Low Power DDR4 SDRAM, Szyfrowanie AES 256-bit (Klasa 0) TCG/Opal IEEE1667 (Dysk szyfrowany), Dopuszczalne napięcie: 3,3 V ± 5 %, Odporność na wstrząsy: 1,500 G oraz 0,5 ms (półokres sinusoidy)
Gwarancja producenta [mies.]: 60
Format dysku:
M.2 2280
Interfejs:
M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe
Odczyt losowy:
1600000 IOPS
Pojemność dysku:
4 TB
Prędkość odczytu (max):
7450 MB/s
Prędkość zapisu (max):
6900 MB/s
Rodzina dysków:
990 PRO
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF):
1500000 h
TBW (ang. Total Bytes Written):
2400.0
Typ dysku:
SSD
Typ złącza:
M.2 (NGFF)
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.:
Tak
Wsparcie dla technologii TRIM:
Tak
Zapis losowy:
1550000 IOPS
Gwarancja producenta [mies.]:
60
Dane producenta
SAMSUNG
PO Box 12987
D01F5P Dublin
Ireland
www.samsung.com/support
Osoba odpowiedzialna
SAMSUNG
PO Box 12987
D01F5P Dublin
Ireland
www.samsung.com/support
Nie ma jeszcze komentarzy ani ocen dla tego produktu.
- Producenci
Sklep internetowy na oprogramowaniu
