-
Koszyk jest pustyRealizuj zamówienieSuma 0
-
-
Koszyk jest pustyRealizuj zamówienieSuma 0
-
Dysk SSD Gigabyte AORUS Gen4 5000E 500GB M.2 2280 NVMe PCIe 4.0 x4 (5000/3800 MB/s) 3D TLC
Symbol:
AG450E500G-G
371.79
| Opinie | |
| Wysyłka w ciągu | 24 godziny |
| Cena przesyłki | 0 |
| Dostępność |
Mało
|
| Waga | 0.15 kg |
| Kod kreskowy | |
| EAN | 4719331849627 |
Zamówienie telefoniczne: +48 222 501 454
| Zostaw telefon |
Rodzina dysków: Gen4 5000E
Pojemność dysku: 500 GB
Format dysku: M.2 2280
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: 3D NAND
Technika zapisywania danych: TLC
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: Tak
Wsparcie dla technologii TRIM: Tak
Interfejs: PCIe NVMe 4.0 x4
Typ złącza: M.2 (NGFF)
Prędkość odczytu (max): 5000 MB/s
Prędkość zapisu (max): 3800 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Written): 300.0
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 1500000 h
Informacje dodatkowe: NVMe 1.4, NAND: 3D TLC NAND Flash, Dimension: 80 x 22 x 2,3 mm, Power Consumption (Active): Average : R : 4,0W / W : 4,0W, Power Consumption(Idle)(ASPT on): 20mW, Temperature (Operating): 0°C to 70°C, Temperature (Storage): -40°C to 85°C
Pojemność dysku: 500 GB
Format dysku: M.2 2280
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: 3D NAND
Technika zapisywania danych: TLC
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: Tak
Wsparcie dla technologii TRIM: Tak
Interfejs: PCIe NVMe 4.0 x4
Typ złącza: M.2 (NGFF)
Prędkość odczytu (max): 5000 MB/s
Prędkość zapisu (max): 3800 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Written): 300.0
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 1500000 h
Informacje dodatkowe: NVMe 1.4, NAND: 3D TLC NAND Flash, Dimension: 80 x 22 x 2,3 mm, Power Consumption (Active): Average : R : 4,0W / W : 4,0W, Power Consumption(Idle)(ASPT on): 20mW, Temperature (Operating): 0°C to 70°C, Temperature (Storage): -40°C to 85°C
| Interfejs | PCIe NVMe 4.0 x4 |
| Typ złącza | M.2 (NGFF) |
| Rodzina dysków | Gen4 5000E |
| Pojemność dysku | 500 GB |
| Format dysku | M.2 2280 |
| Typ dysku | SSD |
| Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF) | 1500000 h |
| Prędkość odczytu (max) | 5000 MB/s |
| Prędkość zapisu (max) | 3800 MB/s |
| Technika zapisywania danych | TLC |
| Typ kości pamięci | 3D NAND |
| Wsparcie dla technologii TRIM | Tak |
| TBW (ang. Total Bytes Written) | 300.0 |
| Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T. | Tak |
Nie ma jeszcze komentarzy ani ocen dla tego produktu.
- Producenci
Sklep internetowy na oprogramowaniu
