![[{[item.product.name]}]]([{[item.product.photo.url]}] 125w)
-
Dysk SSD GOODRAM IRDM PRO NANO 512GB PCIe NVMe Gen 4x4 M.2 2230 (5100/4600 MB/s) 3D NAND
Symbol:
IRP-SSDPR-P44N-512-30
294.64
| Opinie | |
| Wysyłka w ciągu | 24 godziny |
| Cena przesyłki | 0 |
| Dostępność |
Średnia dostępność
|
| Waga | 0.15 kg |
| Kod kreskowy | |
| EAN | 5908267965917 |
Zamówienie telefoniczne: +48 222 501 454
| Zostaw telefon |
Pojemność dysku: 512 GB
Format dysku: M.2 2230
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: 3D NAND
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: Tak
Wsparcie dla technologii TRIM: Tak
Interfejs: M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe
Typ złącza: M.2 klucz M
Prędkość odczytu (max): 5100 MB/s
Prędkość zapisu (max): 4600 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Written): 300.0
Odczyt losowy: 780000 IOPS
Zapis losowy: 920000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 1500000 h
Kolor obudowy: Czarny (Black)
Informacje dodatkowe: Kontroler: Phison E21T, Temperatura: -25°C ~ 85°C, Temperatura przechowywania: -40°C ~ 85°C, Wymiary: 22 x 30 x 2,2 mm, 5 letnia producencka z ograniczeniem TBW
Gwarancja producenta: 60
Format dysku: M.2 2230
Typ dysku: SSD
Typ kości pamięci: 3D NAND
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: Tak
Wsparcie dla technologii TRIM: Tak
Interfejs: M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe
Typ złącza: M.2 klucz M
Prędkość odczytu (max): 5100 MB/s
Prędkość zapisu (max): 4600 MB/s
TBW (ang. Total Bytes Written): 300.0
Odczyt losowy: 780000 IOPS
Zapis losowy: 920000 IOPS
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 1500000 h
Kolor obudowy: Czarny (Black)
Informacje dodatkowe: Kontroler: Phison E21T, Temperatura: -25°C ~ 85°C, Temperatura przechowywania: -40°C ~ 85°C, Wymiary: 22 x 30 x 2,2 mm, 5 letnia producencka z ograniczeniem TBW
Gwarancja producenta: 60
Gwarancja producenta:
60
Kolor obudowy:
Czarny (Black)
Interfejs:
M.2 PCIe Gen. 4.0 x4 NVMe
Typ złącza:
M.2 klucz M
Pojemność dysku:
512 GB
Format dysku:
M.2 2230
Typ dysku:
SSD
Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF):
1500000 h
Prędkość odczytu (max):
5100 MB/s
Prędkość zapisu (max):
4600 MB/s
Typ kości pamięci:
3D NAND
Odczyt losowy:
780000 IOPS
Zapis losowy:
920000 IOPS
Wsparcie dla technologii TRIM:
Tak
TBW (ang. Total Bytes Written):
300.0
Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.:
Tak
Nie ma jeszcze komentarzy ani ocen dla tego produktu.
- Producenci
Sklep internetowy na oprogramowaniu
